IXFN80N60P3
IXYS
Deutsch
Artikelnummer: | IXFN80N60P3 |
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Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $32.29 |
10+ | $29.778 |
100+ | $25.4286 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | SOT-227B |
Serie | HiPerFET™, Polar3™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 40A, 10V |
Verlustleistung (max) | 960W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | SOT-227-4, miniBLOC |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Chassis Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 13100 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 66A (Tc) |
Grundproduktnummer | IXFN80 |
IXFN80N60P3 Einzelheiten PDF [English] | IXFN80N60P3 PDF - EN.pdf |
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![]() IXFN80N60P3IXYS |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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